兩箱式冷熱沖擊試驗箱 定制款模擬環(huán)境氣候
結(jié)構(gòu)特點
分區(qū)設(shè)計
通常采用兩箱式或三箱式結(jié)構(gòu)。兩箱式結(jié)構(gòu)包含高溫箱和低溫箱,樣品通過自動轉(zhuǎn)移裝置在兩箱之間快速移動來實現(xiàn)冷熱沖擊;三箱式結(jié)構(gòu)則在高溫區(qū)和低溫區(qū)之外,額外設(shè)置了一個常溫緩沖區(qū),樣品放置在緩沖區(qū),通過控制閥門的開合,使高溫或低溫空氣進入緩沖區(qū)與樣品接觸,這樣樣品在靜止狀態(tài)下就能完成冷熱沖擊測試,減少了因移動可能造成的樣品震動等影響。
內(nèi)部各區(qū)域采用優(yōu)質(zhì)保溫材料進行隔熱處理,有效防止熱量的散失或竄流,確保高溫區(qū)和低溫區(qū)的溫度穩(wěn)定性以及溫度切換的高效性,同時也有助于降低設(shè)備的能耗。
樣品架與夾具
配備專門設(shè)計的樣品架和適配 DV 芯片的夾具,可靈活調(diào)整位置和間距,方便放置不同規(guī)格、數(shù)量的 DV 芯片進行批量測試。夾具能夠牢固地固定芯片,避免在溫度急劇變化過程中芯片出現(xiàn)位移、松動等情況,保障測試的準確性和可靠性。



兩箱式冷熱沖擊試驗箱 定制款模擬環(huán)境氣候
參數(shù)項 | 技術(shù)規(guī)格 |
溫度范圍 | 高溫區(qū):+60℃~+200℃;低溫區(qū):-40℃~-75℃(分檔可選:A/-40℃、B/-55℃、C/-65℃/C/-75℃) |
溫度波動度 | ±0.5℃(試驗區(qū)) |
溫度均勻度 | ≤±2.0℃(全范圍) |
溫度轉(zhuǎn)換時間 | ≤5~15秒(高低溫切換) |
溫度恢復時間 | ≤5分鐘(空載條件下) |
升溫速率 | 高溫區(qū):平均5℃/min(常溫→200℃約20~40分鐘) |
降溫速率 | 低溫區(qū):平均1.5℃/min(常溫→-70℃約60~80分鐘) |
試樣承重 | 提籃承重15~50kg(金屬試樣按1/3計算) |


性能參數(shù)
溫度范圍
低溫區(qū)一般可達到 -60℃甚至更低,能夠模擬極度寒冷的環(huán)境,如高寒地區(qū)的戶外使用場景;高溫區(qū)溫度可達到 150℃以上,足以覆蓋芯片在設(shè)備長時間運行、局部發(fā)熱等情況下所面臨的高溫工況,充分考驗 DV 芯片在寬溫范圍內(nèi)的性能表現(xiàn)。
溫度變化速率
具備快速的溫度變化能力,可實現(xiàn)每分鐘 10℃ - 30℃甚至更快的溫度變化速率,快速地讓 DV 芯片經(jīng)歷冷熱交替,精準模擬現(xiàn)實中各種突發(fā)的、劇烈的溫度變化場景,如電子設(shè)備從寒冷的戶外進入溫暖室內(nèi)時瞬間的溫度變化等。
溫度均勻性
在整個測試工作室空間內(nèi),無論是高溫狀態(tài)、低溫狀態(tài)還是溫度切換過程中,各點的溫度均勻性能夠控制在較小的偏差范圍內(nèi),通??蛇_到 ±1℃ - ±2℃,確保每一片處于測試中的 DV 芯片都能接受到均勻一致的冷熱沖擊,使測試結(jié)果更具代表性和科學性。
